Справочник MOSFET. IXFP22N65X2M

 

IXFP22N65X2M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFP22N65X2M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IXFP22N65X2M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP22N65X2M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  ixys
 ixfp22n65x2m.pdf pdf_icon

IXFP22N65X2M

Preliminary Technical InformationX2-Class HiperFETTM VDSS = 650VIXFP22N65X2MPower MOSFET ID25 = 22A RDS(on) 145m (Electrically Isolated Tab)OVERMOLDEDN-Channel Enhancement ModeTO-220Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VGIsolated TabDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSVGSS Conti

 ..2. Size:203K  inchange semiconductor
 ixfp22n65x2m.pdf pdf_icon

IXFP22N65X2M

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFP22N65X2MFEATURESWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSSV G

 3.1. Size:336K  ixys
 ixfa22n65x2 ixfp22n65x2 ixfh22n65x2.pdf pdf_icon

IXFP22N65X2M

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA22N65X2Power MOSFET ID25 = 22AIXFP22N65X2 RDS(on) 145m IXFH22N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)TO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGSM T

 3.2. Size:168K  ixys
 ixfa22n65x2 ixfh22n65x2 ixfp22n65x2.pdf pdf_icon

IXFP22N65X2M

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA22N65X2Power MOSFET ID25 = 22AIXFP22N65X2 RDS(on) 160m IXFH22N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N7635-GA , IRLB4132 , IRLI3705 , IXFA20N85XHV , IXFA34N65X2 , IXFH20N85X , IXFH30N85X , IXFP12N65X2M , IRF3710 , IXTP24N65X2M , IXFP34N65X2 , MDE1932 , MDP10N055 , MDP1921 , MMD80R900P , MMF60R360QTH , MMF80R450PTH .

History: VBZQA50N03 | 2N6796LCC4 | HIRF630F | UPA2708GR | 4N60AS | 2SK667 | SSF11NS60D

 

 
Back to Top

 


 
.