Справочник MOSFET. MTP2N50

 

MTP2N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP2N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для MTP2N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
mtp2n50.pdfpdf_icon

MTP2N50

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor MTP2N50FEATURESWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV Gate-S

 0.1. Size:244K  motorola
mtp2n50e.pdfpdf_icon

MTP2N50

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N50E/DDesigner's Data SheetMTP2N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra

 0.2. Size:26K  no
mtp2n50e.pdfpdf_icon

MTP2N50

PRODUCT SPECIFICATIONS SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, INC. 3131 S. E. JAY STREET, STUART, FL 34997 TYPE: MTP2N50E PH: (561) 283-4500 FAX: (561) 286-8914 Website: http://www.semi-tech-inc.com CASE OUTLINE: TO-220 HIGH VOLTAGE POWER MOSFET N-CHANNEL ABSOLUTE MAXIMUM RATING: Drain Source Voltage VDSS 500 Vdc Drain Gate Voltage VDGR 500 Vdc Drain Current Continuous ID 2

Другие MOSFET... IXFP34N65X2 , MDE1932 , MDP10N055 , MDP1921 , MMD80R900P , MMF60R360QTH , MMF80R450PTH , MMF80R650PTH , AON7408 , NTB082N65S3F , NTE2393 , NTP082N65S3F , NTPF082N65S3F , SIHA11N80E , SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 .

History: STB16PF06LT4 | IRF7463

 

 
Back to Top

 


 
.