Справочник MOSFET. NTGD4169FT1G

 

NTGD4169FT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTGD4169FT1G
   Маркировка: TD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 3.7 nC
   Время нарастания (tr): 4 ns
   Выходная емкость (Cd): 48 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для NTGD4169FT1G

 

 

NTGD4169FT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  onsemi
 ntgd4169f ntgd4169ft1g.pdf

NTGD4169FT1G NTGD4169FT1G

NTGD4169FPower MOSFET andSchottky Diode30 V, 2.9 A, N-Channel with SchottkyBarrier Diode, TSOP-6Featureshttp://onsemi.com Fast Switching N-CHANNEL MOSFET Low Gate ChangeV(BR)DSS RDS(on) MaxID Max Low RDS(on)90 mW @ 4.5 V 2.6 A Low VF Schottky Diode30 V Independently Connected Devices to Provide Design Flexibility125 mW @ 2.5 V 2.2 A This is

 7.1. Size:99K  onsemi
 ntgd4167c.pdf

NTGD4169FT1G NTGD4169FT1G

NTGD4167CPower MOSFETComplementary, 30 V, +2.9/-2.2 A,TSOP-6 DualFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFEThttp://onsemi.com Small Size (3 x 3 mm) Dual TSOP-6 Package Leading Edge Trench Technology for Low On ResistanceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Reduced Gate Charge to Improve Switching Response90 mW @ 4.5 V 2.6 AN-Ch Independently Co

 7.2. Size:67K  onsemi
 ntgd4161p-d ntgd4161pt1g.pdf

NTGD4169FT1G NTGD4169FT1G

NTGD4161PPower MOSFET-30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6Features Fast Switching Speed Low Gate Chargehttp://onsemi.com Low RDS(on) Independently Connected Devices to Provide Design FlexibilityV(BR)DSS RDS(on) Max This is a Pb-Free Device160 mW @ -10 VApplications-30 V280 mW @ -4.5 V Load Switch Battery Protection Portable Devices Like

 7.3. Size:2406K  cn vbsemi
 ntgd4161p.pdf

NTGD4169FT1G NTGD4169FT1G

NTGD4161Pwww.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable A

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top