NTGS3443BT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTGS3443BT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NTGS3443BT1G Datasheet (PDF)
ntgs3443bt1g.pdf

NTGS3443BPower MOSFET-20 V, -4.2 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Low RDS(on) in TSOP-6 Package 2.5 V Gate Ratinghttp://onsemi.com Fast Switching This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications60 mW @ -4.5 V -3.7 A Optimized for Battery and Load Management Applications in-20 V 90 mW @ -2.7 V -3.1 APortable Equipment100 mW @ -2.5 V
ntgs3443t1.pdf

NTGS3443T1Power MOSFET4.4 Amps, 20 VoltsP-Channel TSOP-6http://onsemi.comFeatures Ultra Low RDS(on)4.4 AMPERES Higher Efficiency Extending Battery Life20 VOLTS Miniature TSOP-6 Surface Mount PackageRDS(on) = 65 mW Pb-Free Package is AvailableApplications P-Channel1 2 5 6 Power Management in Portable and Battery-Powered Products, i.e.: Cellular and
ntgs3443 nvgs3443.pdf

NTGS3443, NVGS3443Power MOSFET4.4 Amps, 20 VoltsP-Channel TSOP-6http://onsemi.comFeatures Ultra Low RDS(on)4.4 AMPERES Higher Efficiency Extending Battery Life20 VOLTS Miniature TSOP-6 Surface Mount PackageRDS(on) = 65 mW These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant NVGS Prefix for Automotive and Other Applications RequiringP-ChannelUnique Site a
ntgs3443t1g.pdf

NTGS3443T1Gwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S
History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918