NTGS3455T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTGS3455T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
Аналог (замена) для NTGS3455T1
NTGS3455T1 Datasheet (PDF)
ntgs3455t1.pdf

NTGS3455T1MOSFET-3.5 Amps, -30 VoltsP-Channel TSOP-6Features http://onsemi.com Ultra Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Higher Efficiency Extending Battery Life-30 V 100 mW @ -10 V -3.5 A Miniature TSOP-6 Surface Mount Package Pb-Free Package is AvailableP-Channel1 2 5 6ApplicationsDRAIN Power Management in Portable and Battery-Powered Products,
ntgs3443bt1g.pdf

NTGS3443BPower MOSFET-20 V, -4.2 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Low RDS(on) in TSOP-6 Package 2.5 V Gate Ratinghttp://onsemi.com Fast Switching This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications60 mW @ -4.5 V -3.7 A Optimized for Battery and Load Management Applications in-20 V 90 mW @ -2.7 V -3.1 APortable Equipment100 mW @ -2.5 V
ntgs3447pt1g.pdf

NTGS3447PPower MOSFET-12 V, -5.3 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Low RDS(on) in TSOP-6 Package 1.8 V Gate Ratinghttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXApplications Battery Switch and Load Management Applications in Portable40 mW @ -4.5 V -4.7 AEquipment-12 V 53 mW @ -2.5 V -4.1 A High Side Load Switch PA Switch 72
ntgs3441t1 nvgs3441.pdf

NTGS3441, NVGS3441Power MOSFET1 Amp, 20 Volts, P-Channel TSOP-6Features Ultra Low RDS(on)http://onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life Miniature TSOP-6 Surface Mount Package1 AMPERE NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique20 VOLTSSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andRDS(on) = 90 mWPPAP Capable
Другие MOSFET... NTGS3433T1G , NTGS3441BT1G , NTGS3441PT1G , NTGS3441T1 , NTGS3443BT1G , NTGS3443T1 , NTGS3446T1 , NTGS3447PT1G , 10N65 , NTGS4111PT1 , NTGS4141NT1G , NTGS5120PT1G , NTHD2110TT1G , NTHD3101FT1G , NTHD3101FT3 , NTHD3133PFT1G , NTHD4N02FT1 .
History: IRF5803PBF | FQP7N40 | FR5505 | SD215DE
History: IRF5803PBF | FQP7N40 | FR5505 | SD215DE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet