NTGS4141NT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTGS4141NT1G  📄📄 

Маркировка: S4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTGS4141NT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTGS4141NT1G даташит

 ..1. Size:108K  onsemi
 ntgs4141nt1g.pdf pdf_icon

NTGS4141NT1G

NTGS4141N Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N-Channel, TSOP-6 Features Low RDS(on) Low Gate Charge http //onsemi.com Pb-Free Package is Available Applications V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Load Switch 21.5 mW @ 10 V Notebook PC 30 V 7.0 A Desktop PC 30 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) N-Channel Rating Symbol Value Unit Drain 1

 5.1. Size:202K  onsemi
 ntgs4141n nvgs4141n.pdf pdf_icon

NTGS4141NT1G

NTGS4141N, NVGS4141N MOSFET Power, Single, N-Channel, TSOP-6 30 V, 7.0 A Features Low RDS(on) http //onsemi.com Low Gate Charge NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 21.5 mW @ 10 V Pb-Free Package is Available 30 V 7.0 A 30 mW @ 4.5

 5.2. Size:106K  onsemi
 ntgs4141n.pdf pdf_icon

NTGS4141NT1G

NTGS4141N Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N-Channel, TSOP-6 Features Low RDS(on) Low Gate Charge http //onsemi.com Pb-Free Package is Available Applications V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Load Switch 21.5 mW @ 10 V Notebook PC 30 V 7.0 A Desktop PC 30 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) N-Channel Rating Symbol Value Unit Drain 1

 8.1. Size:203K  onsemi
 ntgs4111p nvgs4111p.pdf pdf_icon

NTGS4141NT1G

NTGS4111P, NVGS4111P MOSFET Power, Single, P-Channel, TSOP-6 -30 V, -4.7 A Features http //onsemi.com Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) Low Profile Package Suitable for Portable Applications V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board Space 38 mW @ -10 V Improved Efficiency for Battery Applications -30 V -4.7 A 68 mW @ -4.5 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTGS3441PT1G, NTGS3441T1, NTGS3443BT1G, NTGS3443T1, NTGS3446T1, NTGS3447PT1G, NTGS3455T1, NTGS4111PT1, IRF1407, NTGS5120PT1G, NTHD2110TT1G, NTHD3101FT1G, NTHD3101FT3, NTHD3133PFT1G, NTHD4N02FT1, NTHD4P02FT1G, NTHD5904NT1