NTHD4P02FT1G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NTHD4P02FT1G 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
Тип корпуса: CHIPFET
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NTHD4P02FT1G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTHD4P02FT1G даташит
nthd4p02f nthd4p02ft1g.pdf
NTHD4P02F Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, Single P-Channel with 3.0 A Schottky Barrier Diode, ChipFETt Features http //onsemi.com Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode MOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package with Similar Thermal V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Characteristics -130 mW @ -4.5 V Independent Pinout to each Device to Ease Circu
nthd4p02f.pdf
NTHD4P02F Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, Single P-Channel with 3.0 A Schottky Barrier Diode, ChipFETt Features http //onsemi.com Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode MOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package with Similar Thermal V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Characteristics -130 mW @ -4.5 V Independent Pinout to each Device to Ease Circu
nthd4n02f-d nthd4n02ft1.pdf
NTHD4N02F Power MOSFET and Schottky Diode 20 V, 3.9 A, N-Channel, with 3.7 A Schottky Barrier Diode, ChipFETt http //onsemi.com Features Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode MOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package with Better Thermals V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Super Low Gate Charge MOSFET 60 mW @ 4.5 V Ultra Low VF Schottky 20 V 3.9 A 80 mW @
nthd4401p-d.pdf
NTHD4401P Power MOSFET -20 V, -3.0 A, Dual P-Channel, ChipFETt Features Low RDS(on) and Fast Switching Speed in a ChipFET Package http //onsemi.com Leadless ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6 ChipFET Package with Excellent Thermal Capabilities where Heat Transfer is Required V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available 130 mW @ -4.5 V -20 V
Другие IGBT... NTGS4111PT1, NTGS4141NT1G, NTGS5120PT1G, NTHD2110TT1G, NTHD3101FT1G, NTHD3101FT3, NTHD3133PFT1G, NTHD4N02FT1, 18N50, NTHD5904NT1, NTHD5904NT3, NTHS2101PT1, NTHS2101PT1G, NTHS4101PT1G, NTHS4111PT1G, NTHS4166NT1G, NTHS4501NT1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet









