SDF15N60GAF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF15N60GAF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF15N60GAF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF15N60GAF даташит

 6.1. Size:165K  solitron
 sdf15n60.pdf pdf_icon

SDF15N60GAF

 9.1. Size:154K  solitron
 sdf150na40.pdf pdf_icon

SDF15N60GAF

 9.2. Size:155K  solitron
 sdf150.pdf pdf_icon

SDF15N60GAF

Другие IGBT... SDF130JDA-D, SDF130JDA-S, SDF130JDA-U, SDF13N90, SDF140, SDF150JAA, SDF150JAB, SDF150NA40HE, IRF1010E, SDF17N60, SDF1NA60JAA, SDF1NA60JAB, SDF1NA60JDA, SDF200NA10HE, SDF20N60JEA, SDF20N60JEB, SDF20N60JEC