SDF15N60GAF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SDF15N60GAF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 165 nC
   Время нарастания (tr): 110(max) ns
   Выходная емкость (Cd): 550 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO254

Другие MOSFET... SDF130JDA-D , SDF130JDA-S , SDF130JDA-U , SDF13N90 , SDF140 , SDF150JAA , SDF150JAB , SDF150NA40HE , MMIS60R580P , SDF17N60 , SDF1NA60JAA , SDF1NA60JAB , SDF1NA60JDA , SDF200NA10HE , SDF20N60JEA , SDF20N60JEB , SDF20N60JEC .