NTHS5404T1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTHS5404T1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 337 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: CHIPFET

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTHS5404T1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHS5404T1G даташит

 ..1. Size:106K  onsemi
nths5404t1g.pdfpdf_icon

NTHS5404T1G

NTHS5404T1 Power MOSFET 20 V, 7.2 A, N-Channel ChipFETE Features Low RDS(on) for Higher Efficiency http //onsemi.com Logic Level Gate Drive Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available 20 V 25 mW @ 4.5 V 7.2 A Applications Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e., Cellul

 4.1. Size:111K  onsemi
nths5404t1.pdfpdf_icon

NTHS5404T1G

NTHS5404T1 Power MOSFET 20 V, 7.2 A, N-Channel ChipFETE Features Low RDS(on) for Higher Efficiency http //onsemi.com Logic Level Gate Drive Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available 20 V 25 mW @ 4.5 V 7.2 A Applications Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e., Cellul

 7.1. Size:200K  onsemi
nths5402t1.pdfpdf_icon

NTHS5404T1G

NTHS5402T1 Power MOSFET N-Channel ChipFETE 4.9 Amps, 30 Volts Features http //onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency Miniature ChipFET Surface Mount Package 4.9 AMPS Applications Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e., 30 VOLTS Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards RDS(on) = 35 mW D MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise

 8.1. Size:117K  onsemi
nths5441.pdfpdf_icon

NTHS5404T1G

NTHS5441 MOSFET Power, P-Channel, ChipFET -20 V, -5.3 A Features http //onsemi.com Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Logic Level Gate Drive -20 V 46 mW @ -4.5 V -5.3 A Miniature ChipFET Surface Mount Package Pb-Free Package is Available S Applications G Power Management in Portable and Battery-Powered Pro

Другие IGBT... NTHS2101PT1, NTHS2101PT1G, NTHS4101PT1G, NTHS4111PT1G, NTHS4166NT1G, NTHS4501NT1, NTHS4501NT1G, NTHS5402T1, IRFB31N20D, NTHS5441PT1G, NTHS5441T1G, NTHS5443T1, NTHS5445T1, NTJD4105CT1G, NTJD4152PT1G, NTJD4158CT1G, NTJS3151PT1G