NTHS5441T1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTHS5441T1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: CHIPFET

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTHS5441T1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHS5441T1G даташит

 ..1. Size:66K  onsemi
 nths5441pt1g nths5441t1g nths5441t1-d.pdf pdf_icon

NTHS5441T1G

NTHS5441 Power MOSFET -20 V, -5.3 A, P-Channel ChipFET] Features Low RDS(on) http //onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life Logic Level Gate Drive V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Miniature ChipFET Surface Mount Package -20 V 46 mW @ -4.5 V -5.3 A Pb-Free Package is Available S Applications Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i

 6.1. Size:117K  onsemi
 nths5441.pdf pdf_icon

NTHS5441T1G

NTHS5441 MOSFET Power, P-Channel, ChipFET -20 V, -5.3 A Features http //onsemi.com Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Logic Level Gate Drive -20 V 46 mW @ -4.5 V -5.3 A Miniature ChipFET Surface Mount Package Pb-Free Package is Available S Applications G Power Management in Portable and Battery-Powered Pro

 7.1. Size:200K  onsemi
 nths5445t1.pdf pdf_icon

NTHS5441T1G

NTHS5445T1 Power MOSFET P-Channel ChipFETE 5.2 Amps, 8 Volts Features http //onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency Logic Level Gate Drive Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board Space 5.2 AMPS 8 VOLTS Applications Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e., RDS(on) = 35 mW Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards S

 7.2. Size:68K  onsemi
 nths5443t1-d nths5443t1.pdf pdf_icon

NTHS5441T1G

NTHS5443 Power MOSFET -20 V, -4.9 A, P-Channel ChipFETt Features Low RDS(on) for Higher Efficiency Logic Level Gate Drive http //onsemi.com Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available Applications -20 V 56 mW @ -4.5 -4.9 A Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e., Cellula

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTHS4101PT1G, NTHS4111PT1G, NTHS4166NT1G, NTHS4501NT1, NTHS4501NT1G, NTHS5402T1, NTHS5404T1G, NTHS5441PT1G, IRF1405, NTHS5443T1, NTHS5445T1, NTJD4105CT1G, NTJD4152PT1G, NTJD4158CT1G, NTJS3151PT1G, NTJS3151PT2, NTJS3157NT1G