SDF200NA10HE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF200NA10HE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 900 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: NA

Аналог (замена) для SDF200NA10HE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF200NA10HE даташит

 4.1. Size:154K  solitron
 sdf200na10.pdf pdf_icon

SDF200NA10HE

 9.1. Size:68K  solitron
 sdf20n60jea sdf20n60jeb sdf20n60jec sdf20n60jed.pdf pdf_icon

SDF200NA10HE

 9.2. Size:154K  solitron
 sdf20n60.pdf pdf_icon

SDF200NA10HE

Другие IGBT... SDF150JAA, SDF150JAB, SDF150NA40HE, SDF15N60GAF, SDF17N60, SDF1NA60JAA, SDF1NA60JAB, SDF1NA60JDA, NCEP15T14, SDF20N60JEA, SDF20N60JEB, SDF20N60JEC, SDF20N60JED, SDF21N60GAF, SDF220, SDF230JAA, SDF230JAB