SDF200NA10HE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SDF200NA10HE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 900 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 200 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 120(max) nC
   Время нарастания (tr): 100(max) ns
   Выходная емкость (Cd): 1500 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
   Тип корпуса: NA

Другие MOSFET... SDF150JAA , SDF150JAB , SDF150NA40HE , SDF15N60GAF , SDF17N60 , SDF1NA60JAA , SDF1NA60JAB , SDF1NA60JDA , AO4407 , SDF20N60JEA , SDF20N60JEB , SDF20N60JEC , SDF20N60JED , SDF21N60GAF , SDF220 , SDF230JAA , SDF230JAB .