NTLJS4149PTAG datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NTLJS4149PTAG 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
Тип корпуса: WDFN6
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NTLJS4149PTAG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTLJS4149PTAG даташит
ntljs4149 ntljs4149ptag.pdf
NTLJS4149P Power MOSFET -30 V, -5.9 A, mCoolt Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package Features WDFN Package with Exposed Drain Pad for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88 Package V(BR)DSS RDS(on) MAX Low Profile (
ntljs4114n.pdf
NTLJS4114N Power MOSFET 30 V, 7.8 A, mCoolt Single N-Channel, 2x2 mm WDFN Package Features WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88 V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) in 2x2 mm Package 35 mW @ 4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate 30 V
ntljs4114nt1g.pdf
NTLJS4114N Power MOSFET 30 V, 7.8 A, mCoolt Single N-Channel, 2x2 mm WDFN Package Features WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88 V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) in 2x2 mm Package 35 mW @ 4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate 30 V
ntljs4159n ntljs4159nt1g.pdf
NTLJS4159N Power MOSFET 30 V, 7.8 A, mCoolt Single N-Channel, 2x2 mm WDFN Package Features WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88 V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) in 2x2 mm Package 35 mW @ 4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate 30 V
Другие IGBT... NTLJS1102PTBG, NTLJS2103PTAG, NTLJS2103PTBG, NTLJS3113PT1G, NTLJS3113PTAG, NTLJS3180PZTBG, NTLJS3A18PZ, NTLJS4114NT1G, 2N7000, NTLJS4159NT1G, NTLLD4901NF, NTLUD3A260PZTAG, NTLUD3A260PZTBG, NTLUD3A50PZ, NTLUD4C26N, NTLUF4189NZTAG, NTLUS3A18PZ
History: AFN3684S | DK48N75
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50




