NTLUF4189NZTAG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTLUF4189NZTAG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: UDFN6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTLUF4189NZTAG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTLUF4189NZTAG даташит

 ..1. Size:149K  onsemi
 ntluf4189nz ntluf4189nztag.pdf pdf_icon

NTLUF4189NZTAG

NTLUF4189NZ Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, N-Channel with 0.5 A Schottky Barrier Diode, 1.6 x 1.6 x 0.55 mm mCoolt Package Features http //onsemi.com Low Qg and Capacitance to Minimize Switching Losses MOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6 mm for Board Space Saving V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low VF Schottky Diode ESD Protected Gate 200 mW @ 4.5 V 1.5 A This i

Другие IGBT... NTLJS4114NT1G, NTLJS4149PTAG, NTLJS4159NT1G, NTLLD4901NF, NTLUD3A260PZTAG, NTLUD3A260PZTBG, NTLUD3A50PZ, NTLUD4C26N, AON7408, NTLUS3A18PZ, NTLUS3A18PZTAG, NTLUS3A18PZTBG, NTLUS3A18PZTCG, NTLUS3A39PZ, NTLUS3A39PZTAG, NTLUS3A39PZTBG, NTLUS3A40PZTAG