SDF20N60JED MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SDF20N60JED
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 165 nC
Время нарастания (tr): 110(max) ns
Выходная емкость (Cd): 550 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO254
Другие MOSFET... SDF17N60 , SDF1NA60JAA , SDF1NA60JAB , SDF1NA60JDA , SDF200NA10HE , SDF20N60JEA , SDF20N60JEB , SDF20N60JEC , IRFP450 , SDF21N60GAF , SDF220 , SDF230JAA , SDF230JAB , SDF230JDA , SDF240 , SDF24N50GAF , SDF250JAA .