Справочник MOSFET. NTMFS4708NT1G

 

NTMFS4708NT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMFS4708NT1G
   Маркировка: 4708N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8FL

 Аналог (замена) для NTMFS4708NT1G

 

 

NTMFS4708NT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  onsemi
 ntmfs4708n ntmfs4708nt1g.pdf

NTMFS4708NT1G NTMFS4708NT1G

NTMFS4708NPower MOSFET30 V, 19 A, Single N-Channel, SOIC-8 FLFeatures Fast Switching Times Low Gate Chargehttp://onsemi.com Low RDS(on) Low Inductance SOIC-8 PackageV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max These are Pb-Free DevicesApplications7.3 mW @ 10 V30 V 19 A Notebooks, Graphics Cards10.1 mW @ 4.5 V DC-DC Converters Synchronous RectificationN

 6.1. Size:125K  onsemi
 ntmfs4707nt1g.pdf

NTMFS4708NT1G NTMFS4708NT1G

NTMFS4707NPower MOSFET30 V, 17 A, Single N-Channel, SOIC-8 Flat LeadFeatures Fast Switching Timeshttp://onsemi.com Low Gate Charge Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Low Inductance SOIC-8 Package These are Pb-Free Devices 10 mW @ 10 V30 V 17 A13.5 mW @ 4.5 VApplications Notebooks, Graphics Cards DC-DC ConvertersN-Channel Synchronou

 6.2. Size:85K  onsemi
 ntmfs4701n.pdf

NTMFS4708NT1G NTMFS4708NT1G

NTMFS4701NPower MOSFET30 V, 20 A, Single N-Channel, SOIC-8 Flat Lead PackageFeatures Thermally and Electrically Enhanced Packaging Compatible withStandard SOIC-8http://onsemi.com New Package Provides Capability of Inspection and Probe AfterBoard MountingV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Ultra Low RDS(on) (at 4.5 VGS), Low Gate Resistance and Low QG6.0 mW @ 10 V O

 6.3. Size:127K  onsemi
 ntmfs4701nt1g.pdf

NTMFS4708NT1G NTMFS4708NT1G

NTMFS4701NPower MOSFET30 V, 20 A, Single N-Channel, SOIC-8 Flat Lead PackageFeatures Thermally and Electrically Enhanced Packaging Compatible withhttp://onsemi.comStandard SOIC-8 New Package Provides Capability of Inspection and Probe AfterBoard MountingV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Ultra Low RDS(on) (at 4.5 VGS), Low Gate Resistance and Low QG6.0 mW @ 10 V30 V

 6.4. Size:85K  onsemi
 ntmfs4707n.pdf

NTMFS4708NT1G NTMFS4708NT1G

NTMFS4707NPower MOSFET30 V, 17 A, Single N-Channel, SOIC-8 Flat LeadFeatures Fast Switching Timeshttp://onsemi.com Low Gate Charge Low RDS(on) Low Inductance SOIC-8 PackageV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max These are Pb-Free Devices10 mW @ 10 V30 V 17 AApplications13.5 mW @ 4.5 V Notebooks, Graphics Cards DC-DC Converters Synchronous Rectific

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK3747

 

 
Back to Top