Справочник MOSFET. NTMFS4833NT1G

 

NTMFS4833NT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMFS4833NT1G
   Маркировка: 4833N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: SO-8FL

 Аналог (замена) для NTMFS4833NT1G

 

 

NTMFS4833NT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  onsemi
 ntmfs4833nt1g.pdf

NTMFS4833NT1G NTMFS4833NT1G

NTMFS4833NPower MOSFET30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications Refer to Application Note AND8195/D2.0 mW @ 10 V30 V191 A CPU Po

 4.1. Size:880K  onsemi
 ntmfs4833na.pdf

NTMFS4833NT1G NTMFS4833NT1G

 4.2. Size:139K  onsemi
 ntmfs4833ns.pdf

NTMFS4833NT1G NTMFS4833NT1G

NTMFS4833NSSENSEFET) Power MOSFET30 V, 156 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Accurate, Lossless Current Sensing Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS2.2 m

 4.3. Size:89K  onsemi
 ntmfs4833n.pdf

NTMFS4833NT1G NTMFS4833NT1G

NTMFS4833NPower MOSFET30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com These are Pb-Free Devices*ApplicationsV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX CPU Power Delivery DC-DC Converters 2.0 mW @ 10 V30 V191 A

 4.4. Size:139K  onsemi
 ntmfs4833nst1g.pdf

NTMFS4833NT1G NTMFS4833NT1G

NTMFS4833NSSENSEFET) Power MOSFET30 V, 156 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Accurate, Lossless Current Sensing Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS2.2 m

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 

Back to Top