NTMFS4839NT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMFS4839NT1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.87 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 352 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: SO-8FL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMFS4839NT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS4839NT1G даташит

 ..1. Size:109K  onsemi
 ntmfs4839nt1g.pdf pdf_icon

NTMFS4839NT1G

NTMFS4839N Power MOSFET 30 V, 66 A, Single N-Channel, SO-8FL Features Low RDS(ON) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 5.5 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D 30 V 66 A 9.5 mW @ 4.5

 4.1. Size:139K  onsemi
 ntmfs4839n.pdf pdf_icon

NTMFS4839NT1G

NTMFS4839N Power MOSFET 30 V, 66 A, Single N-Channel, SO-8FL Features Low RDS(ON) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices* V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 5.5 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D 30 V 66 A 9.5 mW @ 4.

 4.2. Size:109K  onsemi
 ntmfs4839nht1g.pdf pdf_icon

NTMFS4839NT1G

NTMFS4839NH Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N-Channel, SO-8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com Low RG These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 5.5 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D 30 V 64 A

 4.3. Size:139K  onsemi
 ntmfs4839nh.pdf pdf_icon

NTMFS4839NT1G

NTMFS4839NH Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N-Channel, SO-8FL Features Low RDS(ON) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com Low RG These are Pb-Free Devices* V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 5.5 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D 30 V 64 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFS4833NST1G, NTMFS4833NT1G, NTMFS4834NT1G, NTMFS4835NT1G, NTMFS4836NT1G, NTMFS4837NHT1G, NTMFS4837NT1G, NTMFS4839NHT1G, AO3400A, NTMFS4841NHT1G, NTMFS4841NT1G, NTMFS4845NT1G, NTMFS4846NT1G, NTMFS4847NAT1G, NTMFS4847NT1G, NTMFS4849NT1G, NTMFS4851NT1G