NTMFS4926NE datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NTMFS4926NE 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.92 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 36.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: SO-8FL
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NTMFS4926NE
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTMFS4926NE даташит
ntmfs4926ne.pdf
NTMFS4926NE Power MOSFET 30 V, 44 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com Dual Sided Cooling Capability Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR
ntmfs4926nt1g.pdf
NTMFS4926N Power MOSFET 30 V, 44 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Compliant 7.0 m
ntmfs4926n.pdf
NTMFS4926N MOSFET Power, Single, N-Channel, SO-8 FL 30 V, 44 A Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives 7.0 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are R
ntmfs4926n-d.pdf
NTMFS4926N Power MOSFET 30 V, 44 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Compliant 7.0 m
Другие IGBT... NTMFS4897NFT1G, NTMFS4898NFT1G, NTMFS4899NFT1G, NTMFS4921NT1G, NTMFS4922NE, NTMFS4923NET1G, NTMFS4925NE, NTMFS4925NT1G, IRFP064N, NTMFS4926NT1G, NTMFS4927NCT1G, NTMFS4927NT1G, NTMFS4931N, NTMFS4933NT1G, NTMFS4934NT1G, NTMFS4935NBT1G, NTMFS4935NCT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor




