NTMFS4943NT1G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NTMFS4943NT1G 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.91 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 446 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
Тип корпуса: SO-8FL
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NTMFS4943NT1G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTMFS4943NT1G даташит
ntmfs4943nt1g.pdf
NTMFS4943N Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 7.2 mW @ 10 V CPU Power Deli
ntmfs4943n.pdf
NTMFS4943N Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 7.2 mW @ 10 V CPU Power Deli
ntmfs4941n.pdf
NTMFS4941N Power MOSFET 30 V, 47 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 6.2 mW @ 10 V 30 V 47 A CPU
ntmfs4941nt1g.pdf
NTMFS4941N Power MOSFET 30 V, 47 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 6.2 mW @ 10 V 30 V 47 A CP
Другие IGBT... NTMFS4934NT1G, NTMFS4935NBT1G, NTMFS4935NCT1G, NTMFS4935NT1G, NTMFS4936NT1G, NTMFS4937NT1G, NTMFS4939NT1G, NTMFS4941NT1G, IRF1404, NTMFS4946N, NTMFS4982NF, NTMFS4983NF, NTMFS4985NF, NTMFS4C01N, NTMFS4C03N, NTMFS4C05N, NTMFS4C06N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet





