NTMFS4C10N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMFS4C10N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 574 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00695 Ohm

Тип корпуса: SO-8FL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMFS4C10N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS4C10N даташит

 ..1. Size:88K  onsemi
ntmfs4c10n.pdfpdf_icon

NTMFS4C10N

NTMFS4C10N Power MOSFET 30 V, 46 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses www.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 6.95 mW @ 10 V CPU Power Delive

 6.1. Size:116K  onsemi
ntmfs4c13n.pdfpdf_icon

NTMFS4C10N

NTMFS4C13N Power MOSFET 30 V, 38 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 9.1 mW @ 10 V CPU Power Del

 7.1. Size:79K  1
ntmfs4c55n.pdfpdf_icon

NTMFS4C10N

NTMFS4C55N Power MOSFET 30 V, 78 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses www.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 3.4 mW @ 10 V CPU Power Delive

 7.2. Size:138K  1
ntmfs4c06n.pdfpdf_icon

NTMFS4C10N

NTMFS4C06N MOSFET Power, Single, N-Channel, SO-8 FL 30 V, 69 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 4.0 mW @ 10 V Compliant 30 V 69 A 6.0 mW @ 4.5 V A

Другие IGBT... NTMFS4983NF, NTMFS4985NF, NTMFS4C01N, NTMFS4C03N, NTMFS4C05N, NTMFS4C06N, NTMFS4C08N, NTMFS4C09NT1G, 2N7000, NTMFS4C13N, NTMFS4C35N, NTMFS4H01N, NTMFS4H01NF, NTMFS4H02N, NTMFS4H02NF, NTMFS5830NLT1G, NTMFS5832NLT1G