NTMFS5830NLT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMFS5830NLT1G  📄📄 

Маркировка: 5830NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 113 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: DFN5

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMFS5830NLT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS5830NLT1G даташит

 ..1. Size:103K  onsemi
 ntmfs5830nlt1g.pdf pdf_icon

NTMFS5830NLT1G

NTMFS5830NL Power MOSFET 40 V, 172 A, 2.3 mW Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 2.3 mW @

 3.1. Size:113K  onsemi
 ntmfs5830nl.pdf pdf_icon

NTMFS5830NLT1G

NTMFS5830NL Power MOSFET 40 V, 172 A, 2.3 mW Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 2.3 mW @

 6.1. Size:104K  onsemi
 ntmfs5834nlt1g.pdf pdf_icon

NTMFS5830NLT1G

NTMFS5834NL, NVMFS5834NL Power MOSFET 40 V, 75 A, 9.3 mW, Single N-Channel Features Low RDS(on) http //onsemi.com Low Capacitance Optimized Gate Charge V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 9.3 mW @ 10 V Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 40 V 75 A Qualified and PPAP Capable 13.6 mW @ 4.5 V

 6.2. Size:112K  onsemi
 ntmfs5834nl nvmfs5834nl.pdf pdf_icon

NTMFS5830NLT1G

NTMFS5834NL, NVMFS5834NL Power MOSFET 40 V, 75 A, 9.3 mW, Single N-Channel Features Low RDS(on) Low Capacitance http //onsemi.com Optimized Gate Charge NVMFS5834NLWF - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 9.3 mW @ 10 V Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 40 V 75 A 13.6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFS4C09NT1G, NTMFS4C10N, NTMFS4C13N, NTMFS4C35N, NTMFS4H01N, NTMFS4H01NF, NTMFS4H02N, NTMFS4H02NF, AON7408, NTMFS5832NLT1G, NTMFS5834NLT1G, NTMFS5844NLT1G, NTMFS5C404NL, NTMFS5C404NLT, NTMFS5C410NL, NTMFS5C410NLT, NTMFS5C423NL