SDF24N50GAF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF24N50GAF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF24N50GAF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF24N50GAF даташит

 6.1. Size:153K  solitron
 sdf24n50.pdf pdf_icon

SDF24N50GAF

 9.1. Size:68K  solitron
 sdf240.pdf pdf_icon

SDF24N50GAF

Другие IGBT... SDF20N60JEC, SDF20N60JED, SDF21N60GAF, SDF220, SDF230JAA, SDF230JAB, SDF230JDA, SDF240, 10N65, SDF250JAA, SDF250JAB, SDF26N50, SDF2N100JAA, SDF2N100JAB, SDF320JAA, SDF320JAB, SDF320JDA