NTMFS5C410NLT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMFS5C410NLT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4156 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0009 Ohm

Тип корпуса: DFN5

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMFS5C410NLT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS5C410NLT даташит

 ..1. Size:113K  onsemi
 ntmfs5c410nlt.pdf pdf_icon

NTMFS5C410NLT

NTMFS5C410NLT Power MOSFET 40 V, 0.9 mW, 315 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NTMFS5C410NLTWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Com

 2.1. Size:71K  onsemi
 ntmfs5c410nl.pdf pdf_icon

NTMFS5C410NLT

NTMFS5C410NL Power MOSFET 40 V, 0.9 mW, 302 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 0.9 mW @ 10 V

 3.1. Size:172K  1
 ntmfs5c410nt3g.pdf pdf_icon

NTMFS5C410NLT

MOSFET Single, N-Channel 40 V, 0.92 mW, 300 A NTMFS5C410N Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 40 V 0.92 mW @ 10 V 300 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise

 3.2. Size:172K  onsemi
 ntmfs5c410n.pdf pdf_icon

NTMFS5C410NLT

MOSFET Single, N-Channel 40 V, 0.92 mW, 300 A NTMFS5C410N Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 40 V 0.92 mW @ 10 V 300 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFS4H02NF, NTMFS5830NLT1G, NTMFS5832NLT1G, NTMFS5834NLT1G, NTMFS5844NLT1G, NTMFS5C404NL, NTMFS5C404NLT, NTMFS5C410NL, AO3401, NTMFS5C423NL, NTMFS5C442NL, NTMFS5C442NLT, NTMFS5C604NL, NTMFS5C612NL, NTMFS5C646NL, NTMFS5C670NL, NTMFS6B03N