NTMFS6B03N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMFS6B03N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: DFN5

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMFS6B03N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS6B03N даташит

 ..1. Size:72K  onsemi
 ntmfs6b03n.pdf pdf_icon

NTMFS6B03N

NTMFS6B03N Power MOSFET 100 V, 4.8 mW, 132 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise not

 6.1. Size:77K  1
 ntmfs6b05nt1g.pdf pdf_icon

NTMFS6B03N

NTMFS6B05N Power MOSFET 100 V, 8 mW, 104 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted

 6.2. Size:171K  1
 ntmfs6b05nt3g.pdf pdf_icon

NTMFS6B03N

NTMFS6B05N MOSFET Power, Single, N-Channel 100 V, 8 mW, 104 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 100 V 8 mW @ 10 V 104 A Compliant MAXIMUM RATINGS (TJ

 6.3. Size:72K  onsemi
 ntmfs6b05n.pdf pdf_icon

NTMFS6B03N

NTMFS6B05N Power MOSFET 100 V, 8 mW, 104 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFS5C410NLT, NTMFS5C423NL, NTMFS5C442NL, NTMFS5C442NLT, NTMFS5C604NL, NTMFS5C612NL, NTMFS5C646NL, NTMFS5C670NL, AON7410, NTMFS6B05N, NTMFS6B14N, NTMS10P02R2G, NTMS3P03R2, NTMS4101PR2, NTMS4107NR2G, NTMS4176PR2G, NTMS4177PR2G