SDF26N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF26N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF26N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF26N50 даташит

 ..1. Size:159K  solitron
 sdf26n50.pdf pdf_icon

SDF26N50

Другие IGBT... SDF220, SDF230JAA, SDF230JAB, SDF230JDA, SDF240, SDF24N50GAF, SDF250JAA, SDF250JAB, SI2302, SDF2N100JAA, SDF2N100JAB, SDF320JAA, SDF320JAB, SDF320JDA, SDF340JAA, SDF340JAB, SDF350