NTMS4807NR2G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTMS4807NR2G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.86 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 562 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для NTMS4807NR2G
NTMS4807NR2G Datasheet (PDF)
ntms4807n-d ntms4807nr2g.pdf

NTMS4807NPower MOSFET30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications6.1 mW @ 10 V Disk Drives30 V 14.8 A DC-DC Converters 7.5 mW @ 4.5 V Pri
ntms4807n.pdf

NTMS4807NPower MOSFET30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications6.1 mW @ 10 V Disk Drives30 V 14.8 A DC-DC Converters 7.5 mW @ 4.5 V Pri
ntms4802n ntms4802nr2g.pdf

NTMS4802NPower MOSFET30 V, 18 A, N-Channel, SO-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications4.0 mW @ 10 V30 V 18 A DC-DC Converters5.5 mW @ 4.5 V Synchronous MOSFET
ntms4800n.pdf

NTMS4800NPower MOSFET30 V, 8 A, N-Channel, SOIC-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device20 mW @ 10 VApplications30 V 8 A27 mW @ 4.5 V
Другие MOSFET... NTMS4503NR2 , NTMS4700NR2 , NTMS4705NR2G , NTMS4706NR2 , NTMS4706NR2G , NTMS4800NR2G , NTMS4801NR2G , NTMS4802NR2G , 5N65 , NTMS4816NR2G , NTMS4872NR2G , NTMS4873NFR2G , NTMS4916NR2G , NTMS4917NR2G , NTMS4937NR2G , NTMS4939NR2G , NTMS4N01R2G .
History: SQM120N02-1M3L | FIR120N055PG | IRFNG40 | PTA04N100 | ST2342 | RUH1H150S-AR | SM1A11NSF
History: SQM120N02-1M3L | FIR120N055PG | IRFNG40 | PTA04N100 | ST2342 | RUH1H150S-AR | SM1A11NSF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet