NTMS4807NR2G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMS4807NR2G  📄📄 

Маркировка: 4807N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 562 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMS4807NR2G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMS4807NR2G даташит

 ..1. Size:88K  onsemi
 ntms4807n-d ntms4807nr2g.pdf pdf_icon

NTMS4807NR2G

NTMS4807N Power MOSFET 30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com This is a Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 6.1 mW @ 10 V Disk Drives 30 V 14.8 A DC-DC Converters 7.5 mW @ 4.5 V Pri

 5.1. Size:88K  onsemi
 ntms4807n.pdf pdf_icon

NTMS4807NR2G

NTMS4807N Power MOSFET 30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com This is a Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 6.1 mW @ 10 V Disk Drives 30 V 14.8 A DC-DC Converters 7.5 mW @ 4.5 V Pri

 7.1. Size:111K  onsemi
 ntms4802n ntms4802nr2g.pdf pdf_icon

NTMS4807NR2G

NTMS4802N Power MOSFET 30 V, 18 A, N-Channel, SO-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses This is a Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 4.0 mW @ 10 V 30 V 18 A DC-DC Converters 5.5 mW @ 4.5 V Synchronous MOSFET

 7.2. Size:136K  onsemi
 ntms4800n.pdf pdf_icon

NTMS4807NR2G

NTMS4800N Power MOSFET 30 V, 8 A, N-Channel, SOIC-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device 20 mW @ 10 V Applications 30 V 8 A 27 mW @ 4.5 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMS4503NR2, NTMS4700NR2, NTMS4705NR2G, NTMS4706NR2, NTMS4706NR2G, NTMS4800NR2G, NTMS4801NR2G, NTMS4802NR2G, 2SK3568, NTMS4816NR2G, NTMS4872NR2G, NTMS4873NFR2G, NTMS4916NR2G, NTMS4917NR2G, NTMS4937NR2G, NTMS4939NR2G, NTMS4N01R2G