NTP30N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTP30N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23.4 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTP30N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP30N06 даташит

 ..1. Size:78K  onsemi
 ntb30n06g ntp30n06 ntp30n06 ntb30n06.pdf pdf_icon

NTP30N06

NTP30N06, NTB30N06 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in http //onsemi.com power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 30 AMPERES, 60 VOLTS Features RDS(on) = 42 mW Pb-Free Packages are Available N-Channel D Typical Applications Power Supplies Converters G

 0.1. Size:75K  onsemi
 ntb30n06l ntp30n06l ntp30n06l ntb30n06l.pdf pdf_icon

NTP30N06

 8.1. Size:158K  onsemi
 ntp30n20 ntp30n20g.pdf pdf_icon

NTP30N06

NTP30N20 Preferred Device Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement-Mode TO-220 http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete 30 AMPERES Fast Recovery Diode 200 VOLTS Avalanche Energy Specified 68 mW @ VGS = 10 V (Typ) IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Pb-Free Package is Available* N-Channel D

Другие IGBT... NTP13N10, NTP18N06, NTP18N06L, NTP22N06, NTP22N06L, NTP27N06, NTP27N06L, NTP2955G, AOD4184A, NTP30N06L, NTP30N20G, NTP35N15G, NTP4302, NTP45N06, NTP45N06L, NTP52N10, NTP5404NRG