NTP30N06 - аналоги и даташиты транзистора

 

NTP30N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NTP30N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для NTP30N06

 

NTP30N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  onsemi
 ntb30n06g ntp30n06 ntp30n06 ntb30n06.pdf pdf_icon

NTP30N06

NTP30N06, NTB30N06 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in http //onsemi.com power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 30 AMPERES, 60 VOLTS Features RDS(on) = 42 mW Pb-Free Packages are Available N-Channel D Typical Applications Power Supplies Converters G

 0.1. Size:75K  onsemi
 ntb30n06l ntp30n06l ntp30n06l ntb30n06l.pdf pdf_icon

NTP30N06

 8.1. Size:158K  onsemi
 ntp30n20 ntp30n20g.pdf pdf_icon

NTP30N06

NTP30N20 Preferred Device Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement-Mode TO-220 http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete 30 AMPERES Fast Recovery Diode 200 VOLTS Avalanche Energy Specified 68 mW @ VGS = 10 V (Typ) IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Pb-Free Package is Available* N-Channel D

Другие MOSFET... NTP13N10 , NTP18N06 , NTP18N06L , NTP22N06 , NTP22N06L , NTP27N06 , NTP27N06L , NTP2955G , AOD4184A , NTP30N06L , NTP30N20G , NTP35N15G , NTP4302 , NTP45N06 , NTP45N06L , NTP52N10 , NTP5404NRG .

 

 
Back to Top

 


 
.