NTP5412NG - аналоги и даташиты транзистора

 

NTP5412NG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NTP5412NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для NTP5412NG

 

NTP5412NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  onsemi
ntb5412nt4g ntb5412n ntp5412n ntp5412ng.pdfpdf_icon

NTP5412NG

 8.1. Size:139K  onsemi
ntb5411nt4g ntp5411ng.pdfpdf_icon

NTP5412NG

 8.2. Size:143K  onsemi
ntb5411n ntp5411n.pdfpdf_icon

NTP5412NG

 9.1. Size:128K  onsemi
ntb5404n ntp5404n.pdfpdf_icon

NTP5412NG

NTB5404N, NTP5404N Power MOSFET 40 V, 136 A, Single N-Channel, D2PAK & TO-220 Features Low RDS(on) http //onsemi.com High Current Capability ID MAX Low Gate Charge V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) This is a Pb-Free Device 40 V 3.5 mW @ 10 V 136 A Applications D Electronic Brake Systems Electronic Power Steering N-Channel Bridge Circuits G MAXIMUM RATI

Другие MOSFET... NTP30N20G , NTP35N15G , NTP4302 , NTP45N06 , NTP45N06L , NTP52N10 , NTP5404NRG , NTP5411NG , 20N60 , NTP5426NG , NTP5860N , NTP5863NG , NTP5864NG , NTP60N06 , NTP60N06L , NTP6410ANG , NTP6411ANG .

History: NTP30N20G

 

 
Back to Top

 


 
.