NTP5412NG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTP5412NG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTP5412NG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP5412NG даташит

 ..1. Size:117K  onsemi
 ntb5412nt4g ntb5412n ntp5412n ntp5412ng.pdf pdf_icon

NTP5412NG

 8.1. Size:139K  onsemi
 ntb5411nt4g ntp5411ng.pdf pdf_icon

NTP5412NG

 8.2. Size:143K  onsemi
 ntb5411n ntp5411n.pdf pdf_icon

NTP5412NG

 9.1. Size:128K  onsemi
 ntb5404n ntp5404n.pdf pdf_icon

NTP5412NG

NTB5404N, NTP5404N Power MOSFET 40 V, 136 A, Single N-Channel, D2PAK & TO-220 Features Low RDS(on) http //onsemi.com High Current Capability ID MAX Low Gate Charge V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) This is a Pb-Free Device 40 V 3.5 mW @ 10 V 136 A Applications D Electronic Brake Systems Electronic Power Steering N-Channel Bridge Circuits G MAXIMUM RATI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTP30N20G, NTP35N15G, NTP4302, NTP45N06, NTP45N06L, NTP52N10, NTP5404NRG, NTP5411NG, 20N60, NTP5426NG, NTP5860N, NTP5863NG, NTP5864NG, NTP60N06, NTP60N06L, NTP6410ANG, NTP6411ANG