NTP5412NG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTP5412NG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO-220
NTP5412NG Datasheet (PDF)
ntb5404n ntp5404n.pdf
NTB5404N, NTP5404N Power MOSFET 40 V, 136 A, Single N-Channel, D2PAK & TO-220 Features Low RDS(on) http //onsemi.com High Current Capability ID MAX Low Gate Charge V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) This is a Pb-Free Device 40 V 3.5 mW @ 10 V 136 A Applications D Electronic Brake Systems Electronic Power Steering N-Channel Bridge Circuits G MAXIMUM RATI
Другие MOSFET... NTP30N20G , NTP35N15G , NTP4302 , NTP45N06 , NTP45N06L , NTP52N10 , NTP5404NRG , NTP5411NG , 20N60 , NTP5426NG , NTP5860N , NTP5863NG , NTP5864NG , NTP60N06 , NTP60N06L , NTP6410ANG , NTP6411ANG .
History: NTP30N20G
History: NTP30N20G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent







