NTP5864NG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTP5864NG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 63 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 31 nC
Время нарастания (tr): 6.4 ns
Выходная емкость (Cd): 189 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0124 Ohm
Тип корпуса: TO-220
NTP5864NG Datasheet (PDF)
ntp5864ng.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTP5864NPower MOSFET60 V, 63 A, 12.4 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy SpecifiedID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Compliant60 V 12.4 m @ 10 V 63 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)N-ChannelParameter Symbol Value UnitsDDra
ntp5864n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTP5864NPower MOSFET60 V, 63 A, 12.4 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilitywww.onsemi.com Avalanche Energy SpecifiedID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Compliant60 V 12.4 m @ 10 V 63 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)N-ChannelParameter Symbol Value UnitsDDrain-
ntd5862n ntp5862n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTD5862N, NTP5862NMOSFET Power,N-Channel60 V, 98 A, 5.7 mWFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX High Current Capability60 V 5.7 mW @ 10 V 98 A 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS CompliantDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)N-ChannelParameter Symbol Value UnitGDrain-t
ntb5860n ntp5860n nvb5860n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTB5860N, NTP5860N,NVB5860NN-Channel Power MOSFET60 V, 220 A, 3.0 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested60 V 3.0 mW @ 10 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringDUnique Site and Control Change
ntp5863ng.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTP5863NN-Channel Power MOSFET60 V, 97 A, 7.8 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX60 V 7.8 mW @ 10 V 97 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)Parameter Symbol Value UnitDDrain-to-Source Voltage VDSS 6
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .