SDF320JDA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SDF320JDA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 20 max ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
Тип корпуса: TO254
Аналог (замена) для SDF320JDA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SDF320JDA даташит
Другие IGBT... SDF24N50GAF, SDF250JAA, SDF250JAB, SDF26N50, SDF2N100JAA, SDF2N100JAB, SDF320JAA, SDF320JAB, IRF2807, SDF340JAA, SDF340JAB, SDF350, SDF360JEA, SDF360JEB, SDF360JEC, SDF360JED, SDF3N90
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291

