SDF360JEA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SDF360JEA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 140 max ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
Тип корпуса: TO254
Аналог (замена) для SDF360JEA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SDF360JEA даташит
Другие IGBT... SDF2N100JAA, SDF2N100JAB, SDF320JAA, SDF320JAB, SDF320JDA, SDF340JAA, SDF340JAB, SDF350, 8N60, SDF360JEB, SDF360JEC, SDF360JED, SDF3N90, SDF40N50JAM, SDF420, SDF430JAA, SDF430JAB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики

