NTTFS4928NTAG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTTFS4928NTAG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.81 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 366 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: WDFN8
Аналог (замена) для NTTFS4928NTAG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTTFS4928NTAG даташит
nttfs4928ntag.pdf
NTTFS4928N MOSFET Power, Single, N-Channel, m8FL 30 V, 37 A Features http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses 9.0 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 30 V 37 A Compliant 13.5 mW @ 4.5 V
nttfs4928ntag.pdf
NTTFS4928N Power MOSFET 30 V, 37 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 9.0 mW @ 10 V Applications 30 V 37 A 13.5 mW @
nttfs4928n.pdf
NTTFS4928N Power MOSFET 30 V, 37 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 9.0 mW @ 10 V Applications 30 V 37 A 13.5 mW @
nttfs4929ntag.pdf
NTTFS4929N Power MOSFET 30 V, 34 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 11 mW @ 10 V Applications 30 V 34 A 17 mW @ 4.
Другие MOSFET... NTS4173PT1G , NTS4409N , NTTD4401FR2 , NTTFS3A08PZ , NTTFS3A08PZTAG , NTTFS4821NTAG , NTTFS4823NTAG , NTTFS4824NTAG , AO4407 , NTTFS4929NTAG , NTTFS4930NTAG , NTTFS4932NTAG , NTTFS4937NTAG , NTTFS4939NTAG , NTTFS4941NTAG , NTTFS4985NF , NTTFS4C05N .
History: TN0106 | FDMS3604AS | FDMS5352
History: TN0106 | FDMS3604AS | FDMS5352
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941





