NTTFS4941NTAG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTTFS4941NTAG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.84 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 573 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
Тип корпуса: WDFN8
Аналог (замена) для NTTFS4941NTAG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTTFS4941NTAG даташит
nttfs4941ntag.pdf
NTTFS4941N Power MOSFET 30 V, 46 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant Applications 6.2 mW @ 10 V 30 V 46 A Low-S
nttfs4941n.pdf
NTTFS4941N Power MOSFET 30 V, 46 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant Applications 6.2 mW @ 10 V 30 V 46 A Low-S
nttfs4943n-d.pdf
NTTFS4943N Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant Applications 7.2 mW @ 10 V 30 V 41 A DC-DC
nttfs4945n.pdf
NTTFS4945N Power MOSFET 30 V, 34 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 9.0 mW @ 10 V Applications 30 V 34 A Power
Другие MOSFET... NTTFS4823NTAG , NTTFS4824NTAG , NTTFS4928NTAG , NTTFS4929NTAG , NTTFS4930NTAG , NTTFS4932NTAG , NTTFS4937NTAG , NTTFS4939NTAG , 10N65 , NTTFS4985NF , NTTFS4C05N , NTTFS4C06N , NTTFS4C08N , NTTFS4C10N , NTTFS4C13N , NTTFS4C25N , NTTFS4H05N .
History: 2SK1154 | FIR4N65F | SRC60R017FBT4G | AOL1444 | STD60NF55L-1
History: 2SK1154 | FIR4N65F | SRC60R017FBT4G | AOL1444 | STD60NF55L-1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m




