Справочник MOSFET. NTTFS4C10N

 

NTTFS4C10N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTTFS4C10N
   Маркировка: 4C10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 574 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm
   Тип корпуса: WDFN8
 

 Аналог (замена) для NTTFS4C10N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTTFS4C10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  onsemi
nttfs4c10n.pdfpdf_icon

NTTFS4C10N

NTTFS4C10NPower MOSFET30 V, 44 A, Single N-Channel, m8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXApplications7.4 mW @ 10 V DC-DC Converters

 0.1. Size:118K  1
nttfs4c10ntag.pdfpdf_icon

NTTFS4C10N

NTTFS4C10NPower MOSFET30 V, 44 A, Single N-Channel, m8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXCompliant7.4 mW @ 10 VApplications30 V 44 A11 mW @ 4.5

 6.1. Size:78K  onsemi
nttfs4c13n.pdfpdf_icon

NTTFS4C10N

NTTFS4C13NPower MOSFET30 V, 38 A, Single N-Channel, m8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications9.4 mW @ 10 V CPU Power Delive

 7.1. Size:121K  1
nttfs4c05ntag.pdfpdf_icon

NTTFS4C10N

NTTFS4C05NPower MOSFET30 V, 75 A, Single N-Channel, m8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseswww.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantApplicationsV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX DC-DC Converters3.6 mW @ 10 V

Другие MOSFET... NTTFS4932NTAG , NTTFS4937NTAG , NTTFS4939NTAG , NTTFS4941NTAG , NTTFS4985NF , NTTFS4C05N , NTTFS4C06N , NTTFS4C08N , 75N75 , NTTFS4C13N , NTTFS4C25N , NTTFS4H05N , NTTFS4H05NTAG , NTTFS4H07N , NTTFS5116PLTAG , NTTFS5811NLTAG , NTTFS5820NLTAG .

History: MTB30P06VT4 | HSL0004 | WSD2054DN22 | WMT04P06TS | SWD10N65K2 | CRTS030N04L

 

 
Back to Top

 


 
.