NTZD3155CT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTZD3155CT1G
Маркировка: TW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.54 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: SOT-563
Аналог (замена) для NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G Datasheet (PDF)
ntzd3155ct1g.pdf
NTZD3155CSmall Signal MOSFETComplementary 20 V, 540 mA / -430 mA,with ESD protection, SOT-563 package.Featureshttp://onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance High Efficiency System PerformanceID Max Low Threshold Voltage V(BR)DSS RDS(on) Typ (Note 1) ESD Protected Gate0.4 W @ 4.5 VN-Channel0.5 W @ 2.5 V 540 mA Small Footprint 1.
ntzd3155ct2g.pdf
NTZD3155CT2Gwww.VBsemi.twN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.020 at VGS = 10 V 0.6 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.025 at VGS = 4.5 V0.55 100 % Rg Tested0.040 at VGS = - 10 V - 0.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.045 at
ntzd3155c.pdf
NTZD3155CMOSFET Small Signal,Complementary with ESDProtection, SOT-56320 V, 540 mA / -430 mAwww.onsemi.comFeaturesID Max Leading Trench Technology for Low RDS(on) PerformanceV(BR)DSS RDS(on) Typ (Note 1) High Efficiency System Performance0.4 W @ 4.5 V Low Threshold VoltageN-Channel0.5 W @ 2.5 V 540 mA20 V ESD Protected Gate0.7 W @ 1.8 V Sma
ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CSmall Signal MOSFETComplementary 20 V, 540 mA / -430 mA,with ESD protection, SOT-563 package.Features http://onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(on) PerformanceID Max High Efficiency System PerformanceV(BR)DSS RDS(on) Typ (Note 1) Low Threshold Voltage0.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate N-Channel0.5 W @ 2.5 V 540 mA20 V Small Footpri
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
