SDF3N90. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SDF3N90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 35 max ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm
Тип корпуса: TO254
Аналог (замена) для SDF3N90
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SDF3N90 даташит
Другие IGBT... SDF320JDA, SDF340JAA, SDF340JAB, SDF350, SDF360JEA, SDF360JEB, SDF360JEC, SDF360JED, IRFB31N20D, SDF40N50JAM, SDF420, SDF430JAA, SDF430JAB, SDF430JDA, SDF440, SDF450JAA, SDF450JAB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527

