SDF40N50JAM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF40N50JAM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF40N50JAM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF40N50JAM даташит

 6.1. Size:151K  solitron
 sdf40n50.pdf pdf_icon

SDF40N50JAM

Другие IGBT... SDF340JAA, SDF340JAB, SDF350, SDF360JEA, SDF360JEB, SDF360JEC, SDF360JED, SDF3N90, STP65NF06, SDF420, SDF430JAA, SDF430JAB, SDF430JDA, SDF440, SDF450JAA, SDF450JAB, SDF460JEA