3N189. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N189

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6.5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm

Тип корпуса: TO-99

Аналог (замена) для 3N189

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N189 даташит

 ..1. Size:199K  no
 3n188 3n189.pdf pdf_icon

3N189

3N189 PCB 24

Другие IGBT... WMP07N65C2, WMG07N65C2, WMH07N65C2, 3N155, 3N156, 3N172, 3N173, 3N188, AO3400, 3N60AF, 3N60F, 3N60G, 3N80A, 3N80AF, 3SK195, 3SK263, 3SK264