6N80AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 6N80AF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для 6N80AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

6N80AF даташит

 ..1. Size:373K  nell
6n80a 6n80af.pdfpdf_icon

6N80AF

RoHS 6N80 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET (6A, 800Volts) DESCRIPTION The Nell 6N80 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 6A, fast switching speed, low on-state resistance, D breakdown voltage rating of 800V ,and max. threshold voltage of 5 volts. They are designed for use in applications. such as sw

 9.1. Size:263K  1
ssf6n80a.pdfpdf_icon

6N80AF

SSF6N80A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.472 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Cha

 9.2. Size:863K  samsung
ssp6n80a.pdfpdf_icon

6N80AF

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1. (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symb

 9.3. Size:931K  samsung
ssh6n80as.pdfpdf_icon

6N80AF

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.472 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

Другие IGBT... 6HP04CH, 6HP04MH, 6LN04SS, 6N60A, 6N60AF, 6N60F, 6N60G, 6N80A, IRF2807, 6N90A, 6N90AF, 75N08, 75N10A, 75N10B, MSAFA75N10C, MSAFX76N07A, 7N60AF