Справочник MOSFET. 7N90AF

 

7N90AF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 7N90AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для 7N90AF

 

 

7N90AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  nell
 7n90a 7n90af.pdf

7N90AF 7N90AF

RoHS 7N90 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET7A, 900VoltsDESCRIPTIOND The Nell 7N90 is a three-terminal silicon devicewith current conduction capability of 7A, fast switchingspeed, low on-state resistance, breakdown voltagerating of 900V, and max. threshold voltage of 5 volts. They are designed for use in applications such as GGs

 9.1. Size:928K  samsung
 ssf7n90a.pdf

7N90AF 7N90AF

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value Un

 9.2. Size:930K  samsung
 ssh7n90a.pdf

7N90AF 7N90AF

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value Un

 9.3. Size:234K  inchange semiconductor
 7n90a.pdf

7N90AF 7N90AF

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel Mosfet Transistor 7N90AFEATURESDrain Current I = 7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching mode power suppliesGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top