7N90AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 7N90AF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для 7N90AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

7N90AF даташит

 ..1. Size:369K  nell
 7n90a 7n90af.pdf pdf_icon

7N90AF

RoHS 7N90 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET 7A, 900Volts DESCRIPTION D The Nell 7N90 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 7A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 900V, and max. threshold voltage of 5 volts. They are designed for use in applications such as G G s

 9.1. Size:928K  samsung
 ssf7n90a.pdf pdf_icon

7N90AF

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 1.247 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value Un

 9.2. Size:930K  samsung
 ssh7n90a.pdf pdf_icon

7N90AF

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 1.247 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value Un

 9.3. Size:234K  inchange semiconductor
 7n90a.pdf pdf_icon

7N90AF

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor 7N90A FEATURES Drain Current I = 7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 900V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching mode power supplies General purpose power amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 75N08, 75N10A, 75N10B, MSAFA75N10C, MSAFX76N07A, 7N60AF, 7N60H, 7N90A, 7N60, 8N60H, 8N80A, 8N80AF, 8N80B, MSAEX8P50A, NID9N05ACL, 9N25A, 9N25AF