Справочник MOSFET. NID9N05ACL

 

NID9N05ACL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NID9N05ACL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 52 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.181 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NID9N05ACL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  onsemi
 nid9n05acl nid9n05aclt4g.pdf pdf_icon

NID9N05ACL

NID9N05CL, NID9N05ACLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection -

 ..2. Size:82K  onsemi
 nid9n05acl nid9n05bcl.pdf pdf_icon

NID9N05ACL

NID9N05ACL, NID9N05BCLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagewww.onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection - HB

 7.1. Size:113K  onsemi
 nid9n05clt4g.pdf pdf_icon

NID9N05ACL

NID9N05CL, NID9N05ACLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection -

 7.2. Size:150K  onsemi
 nid9n05cl.pdf pdf_icon

NID9N05ACL

NID9N05CLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection - HBM 5000 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STF20NM60D | 2SJ542 | BSS138A | AONU32320 | AP4N4R2H | YTF840

 

 
Back to Top

 


 
.