Справочник MOSFET. AMCC920NE

 

AMCC920NE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AMCC920NE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AMCC920NE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  analog power
amcc920ne.pdfpdf_icon

AMCC920NE

Analog Power AMCC920NEN-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)20 @ VGS = 4.5V7.1 Low thermal impedance 20 24 @ VGS = 2.5V6.5 Fast switching speed 39 @ VGS = 1.8V5.1Typical Applications: DFN3x3-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conv

 8.1. Size:218K  analog power
amcc922ne.pdfpdf_icon

AMCC920NE

Analog Power AMCC922NEN-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY Key Features:rDS(on) (m) VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)21 @ VGS = 4.5V8.2 Low thermal impedance2024 @ VGS = 2.5V7.5 Fast switching speedTypical Applications:DFN3x3-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion CircuitsABSOLU

 8.2. Size:89K  analog power
amcc924ne.pdfpdf_icon

AMCC920NE

Analog Power AMCC924NEDual N-Channel Logical Level MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.012 @ VGS = 4.5 V 9.2converters and power management in portable and 20battery-powere

 8.3. Size:301K  analog power
amcc921pe.pdfpdf_icon

AMCC920NE

Analog Power AMCC921PEDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)28 @ VGS = -4.5V -6.0 Low thermal impedance -20 45 @ VGS = -2.5V -4.8 Fast switching speed 78 @ VGS = -1.8V -5.5Typical Applications: DFN3x3-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NCE60N700K | SFS06R02PF | SSM3K344R | AP70T03GJB | MTA17A02CDV8 | IRHSNA57064 | IPD25CN10N

 

 
Back to Top

 


 
.