AMR494N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AMR494N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AMR494N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMR494N даташит

 ..1. Size:317K  analog power
 amr494n.pdf pdf_icon

AMR494N

Analog Power AMR494N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 160 @ VGS = 10V 4.6 Low thermal impedance 150 180 @ VGS = 5.5V 4.4 Fast switching speed Typical Applications DFN5X6-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

 9.1. Size:315K  analog power
 amr490n.pdf pdf_icon

AMR494N

Analog Power AMR490N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 150 @ VGS = 10V 4.8 Low thermal impedance 150 170 @ VGS = 4.5V 4.5 Fast switching speed Typical Applications DFN5X6-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

 9.2. Size:315K  analog power
 amr492n.pdf pdf_icon

AMR494N

Analog Power AMR492N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 140 @ VGS = 10V 4.9 Low thermal impedance 150 160 @ VGS = 4.5V 4.6 Fast switching speed Typical Applications DFN5X6-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits AB

 9.3. Size:315K  analog power
 amr496n.pdf pdf_icon

AMR494N

Analog Power AMR496N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 65 @ VGS = 10V 7.2 Low thermal impedance 150 75 @ VGS = 5.5V 6.7 Fast switching speed Typical Applications DFN5X6-8L PoE PSE and PD Circuits LED Inverter Circuits 48V-Input DC/DC Conversion Circuits ABSOLU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AMF922NE, AMF924NE, AMR430N, AMR432N, AMR434N, AMR460N, AMR490N, AMR492N, IRLB4132, AMR496N, AMR860N, AMR930N, AMS930N, APF7619WS, APL1001J, APL501J, APL502B2G