AUIRF1324STRL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRF1324STRL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00165 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для AUIRF1324STRL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF1324STRL даташит

 ..1. Size:472K  international rectifier
 auirf1324strl.pdf pdf_icon

AUIRF1324STRL

PD - 97483 AUIRF1324S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324L HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D VDSS 24V Ultra Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) typ. 1.3m 175 C Operating Temperature G ID (Silicon Limited) Fast Switching 340A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 195A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qua

 4.1. Size:461K  infineon
 auirf1324s auirf1324l.pdf pdf_icon

AUIRF1324STRL

AUIRF1324S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324L HEXFET Power MOSFET Features VDSS 24V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 1.3m Ultra Low On-Resistance max. 1.65m Dynamic dV/dT Rating 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 340A Fast Switching ID (Package Limited) 195A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-

 4.2. Size:655K  infineon
 auirf1324s-7p.pdf pdf_icon

AUIRF1324STRL

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324S-7P Features VDSS 24V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 0.8m Ultra Low On-Resistance max. 175 C Operating Temperature 1.0m Fast Switching ID (Silicon Limited) 429A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 240A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Description

 5.1. Size:240K  international rectifier
 auirf1324wl.pdf pdf_icon

AUIRF1324STRL

PD - 97676A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324WL HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Process Technology D V(BR)DSS 24V l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.16m l 50% Lower Lead Resistance max. 1.30m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 382A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID (Package Limited) 240A l Lead-Free,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APL502B2G, APL502J, APL502LG, APL602B2G, APL602J, APL602LG, AUIRF1010EZSTRL, AUIRF1010ZSTRL, CS150N03A8, AUIRF1404ZSTRL, AUIRF1405ZS-7P, AUIRF1405ZSTRL, AUIRF2804STRR, AUIRF2804WL, AUIRF2907ZS7PTL, AUIRF3205ZSTRL, AUIRF3315S