AUIRF1405ZS-7P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AUIRF1405ZS-7P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1310 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для AUIRF1405ZS-7P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AUIRF1405ZS-7P даташит
auirf1405zs-7p.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1405ZS-7P Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 4.9m G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free S ID = 120A l Automotive Qualified * S (Pin 2, 3, 5, 6, 7) G (Pin 1) Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the la
auirf1405zstrl.pdf
PD - 97486A AUIRF1405ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1405ZL Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D V(BR)DSS 55V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) max. 4.9m G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 150A l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * D D Description Specifically designed for
auirf1405zs auirf1405zl.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1405ZS AUIRF1405ZL HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 4.9m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 150A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D D Description Specifically designed
auirf1405.pdf
PD - 97691A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1405 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l Low On-Resistance D V(BR)DSS 55V l Dynamic dv/dt Rating RDS(on) typ. 4.6m l 175 C Operating Temperature l Fast Switching max 5.3m G l Fully Avalanche Rated ID (Silicon Limited) 169A l Repetitive Avalanche Allowed S up to Tjmax ID (Package Limited) 75A l Lead-Free,
Другие IGBT... APL502LG, APL602B2G, APL602J, APL602LG, AUIRF1010EZSTRL, AUIRF1010ZSTRL, AUIRF1324STRL, AUIRF1404ZSTRL, AON7506, AUIRF1405ZSTRL, AUIRF2804STRR, AUIRF2804WL, AUIRF2907ZS7PTL, AUIRF3205ZSTRL, AUIRF3315S, AUIRF3710ZSTRL, AUIRF3805STRL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06




