AUIRF7484Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRF7484Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AUIRF7484Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF7484Q даташит

 ..1. Size:224K  international rectifier
auirf7484q.pdfpdf_icon

AUIRF7484Q

AUTOMOTIVE GRADE PD - 97757 AUIRF7484Q Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology A A 1 8 l Low On-Resistance S D V(BR)DSS 40V 2 7 S D l 150 C Operating Temperature 3 6 S D RDS(on) max. 10m l Fast Switching 4 5 G D l Fully Avalanche Rated ID 14A Top View l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified*

 ..2. Size:416K  infineon
auirf7484q.pdfpdf_icon

AUIRF7484Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7484Q HEXFET Power MOSFET Features Advanced Planar Technology A VDSS A 1 8 Low On-Resistance 40V S D 2 7 S D 150 C Operating Temperature RDS(on) max. 3 6 S D Fast Switching 10m 4 5 G D Fully Avalanche Rated ID Top View Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax 14A Lead-Free, RoHS Compliant Auto

 7.1. Size:244K  international rectifier
auirf7416q.pdfpdf_icon

AUIRF7484Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7416Q HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Process Technology A 1 8 S D V(BR)DSS -30V l Low On-Resistance 2 7 S D l Logic Level Gate Drive 3 6 S D RDS(on) max. 0.02 l P-Channel MOSFET 4 5 G D l Dynamic dV/dT Rating ID -10A Top View l 150 C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free, RoHS Compliant l Autom

 7.2. Size:211K  international rectifier
auirf7478q.pdfpdf_icon

AUIRF7484Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7478Q Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology A A V(BR)DSS 1 8 60V Low On-Resistance S D Logic Level Gate Drive 2 7 S D RDS(on) typ. 20m Dynamic dV/dT Rating 3 6 S D 150 C Operating Temperature max. 26m Fast Switching 4 5 G D Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 7.0A Top View Lead-Free,

Другие IGBT... AUIRF3710ZSTRL, AUIRF3805STRL, AUIRF4104STRL, AUIRF540ZSTRL, AUIRF6215S, AUIRF6218L, AUIRF6218S, AUIRF7313Q, 18N50, AUIRF7640S2TR, AUIRF7647S2TR1, AUIRF7648M2TR1, AUIRF7665S2TR, AUIRF7669L2TR1, AUIRF7675M2TR, AUIRF7732S2TR, AUIRF7734M2