SDF4NA100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SDF4NA100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 20(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO254

Другие MOSFET... SDF460JEB , SDF460JEC , SDF460JED , SDF4N100JAA , SDF4N100JAB , SDF4N60 , SDF4N90JAA , SDF4N90JAB , IRF9640 , SDF4NA100SXH , SDF50N40JAM , SDF50NA20GBF , SDF5N100JAA , SDF5N100JAB , SDF6N60JAA , SDF6N60JAB , SDF6N90 .