AUIRF7648M2TR1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AUIRF7648M2TR1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 633 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: DIRECTFET
Аналог (замена) для AUIRF7648M2TR1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AUIRF7648M2TR1 даташит
auirf7648m2tr1.pdf
PD - 96317B AUIRF7648M2TR AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7648M2TR1 Automotive DirectFET Power MOSFET V(BR)DSS 60V Advanced Process Technology Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 5.5m other Heavy Load Applications max. 7.0m Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power Density ID (Silicon Limited) 68A Low Parasitic Para
auirf7648m2tr.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7648M2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 60V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 5.5m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 7.0m High Power Density ID (Silicon Limited) 68A Low Parasitic Parameters Qg (typic
auirf7647s2tr1.pdf
PD - 97537A AUIRF7647S2TR AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7647S2TR1 DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 26m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 31m Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical) 1.6 Low Par
auirf7640s2tr.pdf
PD -97551 AUIRF7640S2TR AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7640S2TR1 DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology Optimized for Class D Audio Amplifier and High Speed V(BR)DSS 60V Switching Applications RDS(on) typ. 27m Low Rds(on) for Improved Efficiency max. 36m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical)
Другие IGBT... AUIRF540ZSTRL, AUIRF6215S, AUIRF6218L, AUIRF6218S, AUIRF7313Q, AUIRF7484Q, AUIRF7640S2TR, AUIRF7647S2TR1, IRF2807, AUIRF7665S2TR, AUIRF7669L2TR1, AUIRF7675M2TR, AUIRF7732S2TR, AUIRF7734M2, AUIRF7736M2TR1, AUIRF7737L2TR1, AUIRF7738L2TR
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646





