AUIRFBA1405. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRFBA1405

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: SUPER-220

Аналог (замена) для AUIRFBA1405

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFBA1405 даташит

 ..1. Size:211K  international rectifier
 auirfba1405.pdf pdf_icon

AUIRFBA1405

PD-97768 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFBA1405 HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Planar Technology D V(BR)DSS 55V l Low On-Resistance RDS(on) typ. 4.3m l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature max 5.0m G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 174A l Fully Avalanche Rated ID (Package Limited) 95A l Repetitive Avalanche Allowed S up to Tjmax l Lead-Free, RoHS

 8.1. Size:398K  international rectifier
 auirfb8409 auirfs8409 auirfsl8409.pdf pdf_icon

AUIRFBA1405

AUIRFB8409 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS8409 AUIRFSL8409 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l New Ultra Low On-Resistance VDSS 40V l 175 C Operating Temperature RDS(on) (SMD) typ. 0.97m l Fast Switching max. 1.2m l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 409A l Automotive Qualified * ID (Package Li

 8.2. Size:278K  international rectifier
 auirfb4410.pdf pdf_icon

AUIRFBA1405

PD - 97598 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFB4410 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D VDSS 100V Ultra Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) typ. 8.0m 175 C Operating Temperature max. 10m Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to ID (Silicon Limited) 88A Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID (Package Limited)

 8.3. Size:282K  international rectifier
 auirfb3207.pdf pdf_icon

AUIRFBA1405

PD - 96322 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFB3207 HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS 75V l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 3.6m l 175 C Operating Temperature max. 4.5m G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 170A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Package Limited) 75A l Automotive Qualified *

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRF7759L2, AUIRF7769L2, AUIRF7799L2, AUIRF8736M2, AUIRF8739L2, AUIRFB8405, AUIRFB8407, AUIRFB8409, AON7403, AUIRFI4905, AUIRFN7107, AUIRFN8401, AUIRFN8403, AUIRFN8405, AUIRFN8458, AUIRFN8459, AUIRFP2602