Справочник MOSFET. AUIRFR4105TR

 

AUIRFR4105TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRFR4105TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFR4105TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  international rectifier
 auirfr4105tr.pdf pdf_icon

AUIRFR4105TR

PD - 97597AAUTOMOTIVE GRADEAUIRFR4105HEXFET Power MOSFETFeaturesDV(BR)DSS55V Advanced Planar Technology Low On-ResistanceRDS(on) max.45m Dynamic dV/dT RatingGID (Silicon Limited)27A 175C Operating Temperature Fast SwitchingID (Package Limited)20AS Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowedup toTjmax Lead-Free,

 4.1. Size:317K  international rectifier
 auirfr4105ztr.pdf pdf_icon

AUIRFR4105TR

PD - 97544AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR4105ZAUIRFU4105ZHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyV(BR)DSS55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) max.24.5mG Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax IDS 30A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *DescriptionDSpecifically de

 4.2. Size:720K  infineon
 auirfr4105z auirfu4105z.pdf pdf_icon

AUIRFR4105TR

AUIRFR4105Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU4105Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 55V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max. 24.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID 30A Automotive Qualified * D D Description Specifically designed

 5.1. Size:317K  international rectifier
 auirfr4104tr.pdf pdf_icon

AUIRFR4105TR

PD - 97452AAUIRFR4104AUTOMOTIVE GRADEAUIRFU4104HEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceV(BR)DSS 40V 175C Operating TemperatureRDS(on) max.5.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID (Silicon Limited)119A Lead-Free, RoHS CompliantSID (Package Limited) 42A Automotive Q

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BL2N60-A | IRF9Z34NSPBF

 

 
Back to Top

 


 
.